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NTMSD3P303R2
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.75
1.50
SQUARE
dc
1.25
1.00
I pk /I o = 5.0
I pk /I o = p
WAVE
I pk /I o = 10
0.75
I pk /I o = 20
0.50
0.25
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 22. Forward Power Dissipation
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
NORMALIZED TO R q JA AT STEADY STATE (1 ″ PAD)
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1010 W
CHIP
JUNCTION 39.422 m F
1.2674 W 27.987 W 30.936 W 36.930 W
493.26 m F 0.0131 F 0.2292 F 2.267 F
AMBIENT
0.001
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 23. Schottky Thermal Response
http://onsemi.com
8
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